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欧洲杯竞猜我国第三代半导体迎窗口期 2020年第三

时间:2021-09-23 18:00 作者:admin 点击:

  联盟理事长吴玲24日在2020国际第三代半导体论坛上透露,双循环模式推动国产化替代。预计2020年中国SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)电力电子和微波射频产值约为70亿元。其中,SiC、GaN电力电子产业产值2020年将达35.35亿元,比去年的29.03亿元将增长21.77%;GaN微波射频产业产值2020年将达33.75亿元,比去年的26.15亿元将增长29%。

  半导体行业经过近六十年的发展,半导体材料经历了三次明显的换代和发展。第一代半导体材料主要是指硅、锗元素等单质半导体材料;第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓、锑化铟;第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN,相比于第一、二代半导体,其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率,在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。

  半导体材料是半导体产业链上游中的重要组成部分,在集成电路、分立器件等半导体产品生产制造中起到关键性的作用。第三代半导体材料以氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等为代表。目前比较成熟的有碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等。因此本文主要研究碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)两大第三代半导体衬底材料。

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  其中,碳化硅产业链环节主要有衬底片、外延片和器件环节。从事衬底片的国内厂商主要有露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳等;从事碳化硅外延生长的厂商主要有瀚天天成和东莞天域等;从事碳化硅功率器件的厂商较多,包括华润微、扬杰科技、泰科天润、绿能芯创、上海詹芯等。

  氮化镓产业链与碳化硅产业链环节无较大差别,同样分为衬底、外延片和器件环节。尽管碳化硅被更多地作为衬底材料,但国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业,主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等;从事氮化镓外延片的国内厂商主要有、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等;从事氮化镓器件的厂商主要有、闻泰科技、、聚灿光电、乾照光电等。

  在第三代半导体材料产业链制造以及应用环节上,SiC可以制造高耐压、大功率电力电子器件如MOSFET、IGBT、SBD等,用于智能电网、新能源汽车等行业。与硅元器件相比,GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点,是超高频器件的极佳选择,适用于5G通信、微波射频等领域的应用。

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